PioneerGaN

Print Friendly

PioneerGaN

True vertical GaN high speed switching transistors for direct diode laser drivingTrue vertical GaN high speed switching transistors for direct diode laser driving

KIEROWNIK PROJEKTU:

Detlef Hommel

 

NCBiR Program Współpracy Polska-Berlin I

 

OKRES REALIZACJI :

2017 r. – 2020 r.

 

WARTOŚĆ PROJEKTU:

1 562 754,97 PLN

 

Wynikiem projektu PioneerGaN będzie integracja wertykalnego tranzystora na bazie azotku galu, zaprojektowanego oraz wykonanego przez Polsko-Berlińskie konsorcjum naukowe, z diodą laserową oraz kondensatorem (Rys 1.)

Pośrednim celem projektu jest wytworzenie prawdziwie wertykalnych tranzystorów.

W ramach projektu PioneerGaN zaplanowano osiągnięcie następujących parametrów związanych z tranzystorem wertykalnym:

  • Napięcie w stanie wyłączenia powyżej 300V
  • Natężenie prądu 50A w impulsie
  • Charakterystyki przełączania tranzystora normalnie zatkanego, wskazujące na przydatność do generowania impulsów krótszych niż nanosekundowe.

Realizacja tych ambitnych celów możliwa jest dzięki uzupełniającym się oraz wybitnym kompetencjom strony Niemieckiej oraz Polskiej.

Seen (Polska):

  • Podłoża GaN odpowiednie do zastosowania w wysokonapięciowych, szybko przełączających wertykalnych tranzystorach
  • Optymalizacja interfejsu między podłożem a warstwą dryfu znajdującą się na podłożu (przygotowanie powierzchni)
  • Optymalizacja podłoży pod kątem zawartości tlenu oraz oporności
  • Zwiększenie średnicy podłoża GaN o obniżonej koncentracji donorów do 2 cali (ostatni rok projektu)

Wrocławskie Centrum Badań EIT+:

  • Charakteryzacja materiałowa przyrządów. Przygotowania do pomiarów przekrojów urządzeń oraz odpowiednia metodyka analizy materiałowej są niezbędne do bieżącej oceny postępów w technologii wytworzenia tranzystorów podczas trwania projektu
  • Charakteryzacja interfejsu między izolatorem bramki (tlenkiem) a półprzewodnikiem
  • Szybka informacja zwrotna wynikająca z charakteryzacji urządzeń

Ferdinand-Braun-Institut:

  • Wzrost epitaksjalny struktur tranzystorowych na podłożach Ammono-GaN
  • Stworzenie technologii tranzystorów wertykalnych
  • Pomiary elektryczne oraz strukturalne, których wynik będzie miał bezpośrednie przełożenie na rozwijającą się technologię
  • Demonstrator działającego w trybie impulsowym lasera poprzez połączenie wertykalnego tranzystora z diodą laserową

Sentech Instruments:

  • Wzrost izolatora bramki metodą osadzania warstw atomowych (ALD) w miejscach przygotowanych na bramki, tzw gate trench
  • Dopasowanie technologii wzrostu warstwy izolatora bramki oraz wstępnej obróbki do technologii trawienia bramek (tzw. gate trench) w celu osiągnięcia minimalnej gęstości stanów na interfejsie.
  • Optymalizacja sprzętu wykorzystanego do technologii ALD
Autor: Centrum Badań EIT+, Opublikowano: 17.07.2017
plusfontminusfontreloadfont