Laboratorium Epitaksji Związków Półprzewodnikowych

Print Friendly

Laboratorium
Epitaksji Związków Półprzewodnikowych

Epitaksja z użyciem wiązek molekularnych (MBE *1)  oraz osadzanie związków metaloorganicznych z fazy gazowej (MOCVD *2) to techniki umożliwiające wytwarzanie warstw epitaksjalnych azotków do zastosowań w optoelektronice, elektronice i spintronice.

W systemach możliwe jest zarówno wytwarzanie jak i badanie optycznie i magnetycznie aktywnych materiałów na substratach wielkości do 4”. Najwyższej klasy urządzenia do charakteryzacji insitu zapewniają wysoką niezawodność procesów i powtarzalność otrzymanych parametrów warstw.

Laboratorium dysponuje szeroką gamą możliwości charakteryzacji próbek in-situ i ex-situ. Warstwy wyhodowane z użyciem MBE mogą być transferowane i analizowane w warunkach ultrawysokiej próżni (UHV). Charakteryzacja warstw odbywa się w komorze analitycznej połączonej z komorami MBE transferem próżniowym i może odbywać się bezpośrednio po wyhodowaniu warstw lub na próbce dostarczonej z zewnątrz poprzez śluzę załadowczą.

Rozwój nowych materiałów

i procesów wzrostu, dostarczanie różnych warstw lub heterostruktur dla nauki i przemysłu

Wytwarzanie epitaksjalnych warstw

azotków metodami MBE i MOCVD, do zastosowań optoelektronicznych, elektronicznych, aplikacji magnetycznych oraz badań podstawowych

Produkcja i rozwój

optycznie aktywnych i magnetycznych materiałów na substratach do 4 cali

  • XPS z rozdzielczością do 0.85eV lub intensywnościami do 25 mln zliczeń/s.
  • XPS z użyciem monochromatora, rozdzielczość do 0.6eV lub intensywność do 1.2 mln zliczeń/s.
  • Small-spot XPS – analiza z małego obszaru poniżej 70 μm
  • Wytrawianie skupioną wiązką jonów, dziur o rozmiarach 150 μm do pomiarów głębokościowo rozdzielczych XPS
  • Spektroskopia Elektronów Augera (AES) z rozdzielczością 0.5 at-
  • Skaningowa Mikroskopia Tunelowa (STM) oraz Mikroskopia Sił Atomowych (AFM)

System epitaksji

z użyciem wiązki molekularnej (MBE)

Dwukomorowy system MBE PRO-100 III-N

firmy Scienta Omicron. Wzrost azotków pierwiastków: Ga, Al, In, Mn, Cu, Fe, As, oraz domieszkowanie Mg, Si oraz C, możliwe na podłożach do 4 cali średnic

In-situ k–Space kSA 400 RHEED

do charakteryzacji powierzchni oraz system LayTec EpiCurveTT AR Blue do pomiarów temperatury, ugięcia i kontroli szybkości wzrost

System osadzania związków metaloorganicznych z fazy gazowej (MOCVD)

System firmy Aixtron

wyposażony w reaktor prysznicowy (CCS reactor) 3×2”/1×4” z możliwością przeskalowania procesu do masowej produkcji.

  • Reaktor wyposażony jest w system LayTec EpiCurveTT i trzy-strefową grzałkę.
  • Umożliwia wzrost warstw w temperaturze do 1200°C.
  • Dostępne standardowe źródła związków metaloorganicznych i gazów reakcyjnych: TMGa, TEGa, TMIn, TMAl, Cp2Mg, NH3 oraz SiH4. Specjalne źródła takie jak Cp2Fe, Cp2Mn i CBr4 mogą zostać użyte na życzenie.

Kierownik Laboratorium:  Gerd Kunert

Autor: Agata Kołacz, Opublikowano: 07.10.2015
plusfontminusfontreloadfont