1.2 Nanomateriały dla zastosowań optoelektronicznych oraz sensorycznych.

Print Friendly

1.2 Nanomateriały dla zastosowań optoelektronicznych oraz sensorycznych.

M. Grodzicki, P. Mazur, S. Zuber, J. Brona, A. Ciszewski Oxidation of GaN(0001) by low-energy ion bombardment, Applied Surface Science 304 (2014), 20-23

K. Idczak, P. Mazur, S. Zuber, L. Markowski, M. Skiscim, S. Bilinska, Growth of thin zirconium and zirconium oxides films on then-GaN(0 0 0 1) surface studied by XPS and LEED, Applied Surface Science 304 (2014), 29-34

M. Grodzicki, P. Mazur, S. Zuber, J. Pers , J. Brona, A. Ciszewski, Effect of annealing on Ni/GaN(0 0 0 1) contact morphology, Applied Surface Science 304 (2014), 24-28

A. Kafar, S. Stanczyka, G. Targowski, T. Suskia, P. Perlin, Gain saturation in InGaN superluminescent diodes. Proc. of SPIE 8986 (2014), 89860

M. Grodzicki, P. Mazur, S. Zuber, J. Pers, A. Ciszewski, Pd/GaN(0001) interface properties, Materials Science Poland 32 (2014), 252-256

M. Grodzicki, P. Mazur, J. Pers, S. Zuber A. Ciszewski, Sb layers on p-GaN: UPS, XPS and LEED study. Acta Physica Polonica A 126 (2014), 1128-1130

A. Bojarska, J. Goss, Ł. Marona, A. Kafar, S. Stanczyk, I. Makarowa, S. Najda, G. Targowski, T. Suski, P. Perlin, Emission wavelength dependence of characteristic temperature of InGaN laser diodes. Applied Physics Letters 103 (2013), 071102

A. Kafar, S. Stanczyk, G. Targowski, T. Oto, I. Makarowa, P. Wisniewski, T. Suski, P. Perlin, High-Optical-Power InGaN Superluminescencent Diodes with „j-shape” Waveguide, Applied Physics Express 6 (2013), 092102

Autor: , Opublikowano: 01.07.2015
plusfontminusfontreloadfont